Produkt

Leistungshalbleiter-ICs

STMicroelectronics

Neue Fertigung für SiC-Epitaxiewafer in Catania

Um seine Lieferfähigkeit zu verbessern und die interne Beschaffung mit SiC-Roh- und -Epitaxiewafer zu erweitern, wird STMicroelectronics auf Sizilien eine Fertigungsstätte errichten, die solche Wafer in großen Mengen herstellt und alle Prozessschritte unter einem Dach vereint.

Compound Semiconductors

Out of the niche at last!

Compound semiconductors? Expensive, only come into question where silicon is by no...

onsemi

Drei SiC-Leistungsmodule für On-Board-Ladegeräte

Die SiC-Leistungsmodule der Serie AMP32 von onsemi sind für den Einsatz in...

Interview with Alex Lidow

Twice in a Lifetime

Alex Lidow, former CEO of International Rectifier and CEO of Efficient Power...

Prof. Leo Lorenz, ECPE

»China wird das eigene Ziel nicht erreichen«

Bis 2035 will China 35 Prozent aller Halbleiter selbst entwickeln, fertigen und...

Anwenderforum Leistungshalbleiter 2022

Siliziumkarbid im Fokus

Am 9. und 10. November 2022 findet das inzwischen sechste Anwenderforum...

Motorsteuerung mit GaN-Leistungs-ICs

Effizient, robust, kostengünstig

Elektrische Antriebe gehören zu den größten »Energiefressern«. Daher liegt in der...

Sinnvolles »Shrinken«

Miniaturisierung von Mixed-Signal-ICs geht anders

In der digitalen Welt wird mithilfe kleinerer Prozessstrukturen die Miniaturisierung...

Renesas Electronics

Automotive activities to be significantly expanded

Vivek Bhan, Senior Vice President of Renesas Electronics, makes it clear in an...

Siliziumkarbid

onsemi erweitert Werk in Tschechien um das 16-Fache

Erst vor ein paar Wochen hatte onsemi seine Produktion von SiC-Boules in Hudson, New...